驅(qū)動電路的驅(qū)動能力如何分析?
驅(qū)動方面,關(guān)注它的動態(tài)特性,也就是開關(guān)特性;還有它的靜態(tài)特性,就是穩(wěn)態(tài)電平。從靜態(tài)和動態(tài)方面出發(fā),驅(qū)動有以下幾點需要特別注意:
其一,穩(wěn)態(tài)電平幅值,你得看一下你使用的開關(guān)管,比如mosfet,你設(shè)計流過它的電流Id是多少,因為像mosfet這類電壓型的開關(guān)器件,門極電壓Vgs和通過主體漏極電流Id是跨導(dǎo)(g)關(guān)系,這個跨導(dǎo)就像咱們三極管的電流放大倍數(shù)一個道理,所以首先滿足Id=Vgs*g也就是你的電平,這里還要注意你的有效Vgs,它是你的實際電平減去這類管子的開通閾值(開通閾值或門檻電壓用Vth表示,有效電平=實際電平—Vth);
其二,動態(tài)峰值電流能力,驅(qū)動芯片必須要滿足給門極充電的能力,尤其是瞬態(tài)的峰值電流,Ipeak=門極電平/驅(qū)動電阻,如果你的單片機沒有這個峰值電流能力,那么我們知道,瞬態(tài)大電流和單片機驅(qū)動口內(nèi)阻乘積就是電壓,這就是驅(qū)動能力不足,導(dǎo)致門極充放電變慢,開關(guān)速度異常,還有就是你的單片機會發(fā)熱;
其三,開關(guān)管驅(qū)動功率消耗,我們知道理想的電壓型開關(guān)并不需要驅(qū)動功率,但是實際當(dāng)中,像mosfet存在門極電容(Cgs)和米勒電容(Cgd或Crss),這些電容通過驅(qū)動電阻充放電都是要消耗功率的,所以你的單片機還得需要一D的驅(qū)動功率能力才行,驅(qū)動功率P=驅(qū)動電壓*工作頻率*電容的電荷量(這里包括了門極電容和米勒電容總電荷,通常在數(shù)據(jù)手冊里成為Qg),驅(qū)動功率意味著驅(qū)動芯片,像單片機會產(chǎn)生功耗,也就是發(fā)熱的問題。
單片機可以驅(qū)動,后面加三極管推挽的作用就是滿足穩(wěn)態(tài)電平和動態(tài)驅(qū)動能力的要求。
你用單片機直接驅(qū)動未嘗不可,但只需要滿足以上靜態(tài)和動態(tài)的需求即可。
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