可控硅的好壞如何判斷？測(cè)量極間電阻法[圖解]
普通二極管的檢測(cè)（包括檢波二極管、整流二極管、阻尼二極管、開關(guān)二極管、續(xù)流二極管）是由一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娞匦�。通過(guò)用萬(wàn)用表檢測(cè)其正、反向電阻值，可以判別出二極管的電極，還可估測(cè)出二極管是否損壞。因此這里我們推薦用萬(wàn)用表檢測(cè)可控硅方法有三：
方法一：測(cè)量極間電阻法
將萬(wàn)用表置于皮R×1k檔，如果測(cè)得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬(wàn)用表置于R×10檔測(cè)得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆 時(shí)，就說(shuō)明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：
1、若測(cè)得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時(shí)．就說(shuō)明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；
2、如果測(cè)得T1－G之間的正反向電阻很大(接近∞)時(shí)，說(shuō)明控制極G與主電極T1之間內(nèi)部接觸不良或開路損壞，也不能使用。
方法二：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力A
萬(wàn)用表置于R×10檔：①如圖,1(a)所示，用黑表筆接主電極T2，紅表筆接T1，即給T2加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果表頭指針發(fā)生了較大偏轉(zhuǎn)并停留在一固定位置，說(shuō)明雙向可控硅中的一部分(其中一個(gè)單向可控硅)是好的，如圖1(b)所示，改黑表筆接主電極T1，紅表筆接T2，即給T1加正向電壓，再用短路線將G與T1(或T2)短接一下后離開，如果結(jié)果同上，也證明雙向可控硅中的另一部分(其中的一個(gè)單向可控硅是好的。測(cè)試到止說(shuō)明雙向可控硅整個(gè)都是好的，即在兩個(gè)方向(在不同極性的觸發(fā)電壓證）均能觸發(fā)導(dǎo)通。
圖1 判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力
方法三：檢查觸發(fā)導(dǎo)通能力B
如圖2所示．取一只10uF左右的電解電容器，將萬(wàn)用表置于R×10k檔(V電壓)，對(duì)電解電容器充電3~5s后用來(lái)代替圖1中的短路線，即利用電容器上所充的電壓作為觸發(fā)信號(hào)，然后再將萬(wàn)用表置于R×10檔，照?qǐng)D2(b)連接好后進(jìn)行測(cè)試。測(cè)試時(shí)，電容C的極性可任意連接，同樣是碰觸一下后離開，觀察表頭指針偏轉(zhuǎn)情況，如果測(cè)試結(jié)果與“方法二’相同，就證明雙向可控硅是好的。
圖2 判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力
應(yīng)用此法判斷雙向可控硅的觸發(fā)導(dǎo)通能力更為可靠。由于電解電容器上充的電壓較高，使觸發(fā)信號(hào)增大，更利于判斷大功率雙向可控硅的觸發(fā)能力。
實(shí)物圖：
首頁(yè) > 軟啟動(dòng)相關(guān) > 日期：2022-6-25 來(lái)源：www.parkingtim.com 作者：李工 瀏覽量：
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