固態(tài)硬盤(pán)4k讀取速度比寫(xiě)入慢正常嗎
非常正常,固態(tài)硬盤(pán)的4K隨機(jī)讀出確實(shí)比寫(xiě)入慢,因?yàn)檫@個(gè)讀取是即時(shí)不連續(xù)讀取,而寫(xiě)入采用了SLC緩存整合寫(xiě)入,所以速度更快。
大家應(yīng)該知道,固態(tài)硬盤(pán)是依靠閃存進(jìn)行存儲(chǔ)的,所以閃存顆粒性能高低就決定固態(tài)硬盤(pán)速率讀寫(xiě)速率。
但是,由于閃存芯片是有壽命的,讀取沒(méi)有問(wèn)題,而寫(xiě)入是有次數(shù)限制,如果直接讓隨機(jī)寫(xiě)入的數(shù)據(jù)進(jìn)入TLC閃存單元,不僅速度慢,而且寫(xiě)入放大率會(huì)很高,對(duì)芯片壽命次數(shù)影響很大。
簡(jiǎn)單的說(shuō),SLC緩存就是MLC、TLC或者QLC固態(tài)硬盤(pán)使用部分閃存空間模擬SLC的一種技術(shù)手段,以達(dá)到提速和延長(zhǎng)壽命的作用。例如三星的TURBO WRITE技術(shù),它就是通過(guò)在既有的TLC NAND Flash里劃出一部分空間當(dāng)SLC緩存,在其中的每個(gè)Cell中只寫(xiě)入1bit的數(shù)據(jù),寫(xiě)入時(shí),緩存可以將隨機(jī)數(shù)據(jù)整合為持續(xù)的數(shù)據(jù),然后一次性寫(xiě)入NAND閃存芯片中,這樣來(lái)提升SSD的讀寫(xiě)性能,
只要剩余空間足夠多,無(wú)論分區(qū)多大,分區(qū)多少個(gè),固態(tài)硬盤(pán)的寫(xiě)入SLC緩存空間都是固定的。
而隨機(jī)讀取是即時(shí)讀取,不需要從緩存中再走一圈,尤其是大數(shù)據(jù)連續(xù)讀取,這就造成了4K讀取速度遠(yuǎn)沒(méi)有寫(xiě)入速度快的原因。
其實(shí),我們?cè)趯?shí)際使用中,電腦也不會(huì)像AS SSD Benchmark測(cè)試那樣產(chǎn)生連續(xù)不間斷的讀取或?qū)懭,SLC緩存會(huì)在各種讀寫(xiě)操作的空閑間隙時(shí)間內(nèi)會(huì)自動(dòng)釋放,我們也無(wú)需關(guān)心SLC緩存在某一時(shí)刻是否用完。
所以,這些并不影響您的日常使用。
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